杏彩体育:RCD吸收电路EMI影响与参数调整影响分析

　　到次级输出，但初级绕组漏感中储存的能量将无法传递到副边，产生电压尖峰。根据楞次定律变压器初级绕组电压为下正上负，RCD吸收二极管正向导通，给吸收

　　→串联电容→变压器初级线圈的输入引脚。原边MOS管Ton期间，通过并联在RC两端的电阻给电容放电，即通过并联电阻消耗来吸收电容储存的能量。02、RCD电路EMI影响机理分析

　　变压器漏感产生的电压尖峰与变压器本身的漏感感量相关，电压尖峰的大小确定了RCD吸收电容充电电流的大小，电容充电时产生的电流尖峰不加以抑制，可能导致严重的辐射问题。

　　为限制RCD吸收电容的电流尖峰，在RCD吸收电路中增加串联电阻，可减缓电容充电速度，降低电流尖峰，是改善其EMI性能切实可靠的重要措施之一。

　　RCD吸收电路中二极管工作在开关状态下，其反向恢复时间通常对EMI性能有较重要的影响。单纯的从反向恢复本身的影响来看，反向恢复时间越长，反向恢复电流越小，EMI的性能表现就越好，反之，EMI性能就会越差。

　　二极管反向恢复时间是由其寄生电容决定，而寄生电容通常是由二极管的封装、制造工艺决定，相同厂家的同规格型号原则上快管寄生电容小，慢管寄生电容大，寄生电容从侧面反映的实质上还是反向恢复时间。通过在RCD吸收二极管两端并联电容，可以调整由RCD吸收二极管反向恢复引起的辐射问题。

　　RCD吸收二极管寄生电容不可避免，不同型号、不同厂家的二极管寄生电容差异较大，由于RCD吸收二极管未导通时，RCD吸收二极管寄生电容与RCD吸收电容是串联，起作用的主要是二极管寄生电容，即参与LC振荡的主要是二极管寄生电容，首先，抑制LC振荡的最简单有效的办法是在振荡回路中串联电阻。其次，破坏振荡产生的条件，即改变电容参数、电感参数，振荡频率会随之改变。由于变压器确定后励磁电感/漏感的参数就已经固定，唯一能改变的就是二极管寄生电容参数。二极管寄生电容参数可以通过型号（快管&慢管）选择与在二极管两端并联电容改变。

　　蓝色是原边MOS管D极电压波形，紫色是RCD吸收二极管阴极电压波形，绿色是原边MOS管的电流波形。从测试波形上看原边MOS管D极电压过冲、振铃均较严重，而RCD吸收二极管阴极电压过冲较小。

　　蓝色是原边MOS管D极电压波形，紫色是RCD吸收二极管阴极电压波形，绿色是原边MOS管的电流波形。从测试波形上看原边MOS管D极电压过冲、振铃有明显改善，而RCD吸收二极管阴极电压过冲也降低，MOS管电流尖峰也降低。

　　通过仅修改串联电阻参数可以改变原边MOS管D极电压振荡波形的斜率，过冲幅度也会相对减小，RCD吸收二极管阴极电压过冲幅度变化较小，电压过冲斜率变化较明显，原边MOS管电流波形变化不明显。

　　通过仅在RCD吸收二极管两侧并联47pF电容，原边MOS管过冲幅度降低较小，而RCD吸收二极管阴极电压过冲幅度有明显降低，原边MOS管电流波形无明显变化。

　　去掉RCD吸收环路中串联的6mm磁珠时，原边MOS管电流过冲幅度有降低，RCD吸收二极管阴极电压过冲有明显降低，而原边MOS管D极电压过冲有稍微增加，振荡变得更严重。

　　板卡辐射测试时105MHz频点呈现包络状干扰，余量不满足6dB管控标准，分析其产生原因是反激电路初级RCD吸收电路，

　　修改PCB Layout，调整RCD吸收环路设计，缩小其PCB上布线的环路面积，降低环路空间辐射，修改PCB设计后，辐射测试顺利通过。

　　某款电源板辐射测试时32MHz、77MHz频点呈现包络状干扰，余量不满足6dB管控标准，分析问题产生的原因是初级RCD电路PCB Layout的环路面积较大，导致空间辐射强，具体辐射测试数据如下图所示：

　　修改PCB Layout，调整RCD吸收环路设计，缩小其PCB上布线的环路面积，降低环路空间辐射，修改PCB设计后，辐射测试顺利通过。

　　电阻R117、R118、R123的引入，主要是抑制C106充电瞬间产生的电流尖峰或电流振荡。

　　RCD吸收电路从变压器初级绕组输入引脚-二极管—吸收电容-串联电阻到输出引脚构成的环路面积保持最小化，如上图红色线描述的轨迹所示。

　　RCD吸收电路，应避免从变压器初级绕组输出引脚-串联电阻-吸收电容-二极管-大电解电容的正极-变压器初级绕组输入引脚的情况。

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